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ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
HiPerFET TM
IXTJ 36N20 V DSS = 200
V
I D25
N-Channel Enhancement Mode
=
R DS(on) =
36 A
70 m ?
t rr < 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
200
V
G
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
200
± 20
V
V
D
S
é
(TAB)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 30
36
V
A
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
144
36
19
A
A
mJ
G = Gate,
S = Source,
D = Drain,
TAB = Drain
? Low R
HDMOS
process
? Rugged polysilicon gate cell structure
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
M d
Weight
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
Mounting torque
5 V/ns
300 W
-55 ... +150 ° C
150 ° C
-55 ... +150 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
5 g
Features
? International standard package
JEDEC TO-247 AD
TM
DS (on)
? High commutating dv/dt rating
? Fast switching times
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
Applications
? Switch-mode and resonant-mode
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
200 V
power supplies
? Motor controls
? Uninterruptible Power Supplies (UPS)
? DC choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 4 mA
2
4
V
I GSS
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
± 100
nA
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = 0.8 V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 10 V, I D = 18A
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
25 μ A
250 μ A
70 m ?
? Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
? 2001 IXYS All rights reserved
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